(CUI), Sİ1-x maddesinin, basınç konsantrasyon ve sıcaklığa göre elektriksel iletkenlik değişiminin incelenmesi ve yasak enerji aralığının hesabı

Abstract

Bu çalısmada (CuI)xSi1-x karısımının elektriksel iletkenligi degisimi basınca ,sıcaklıga ve konsantrasyona baglı olarak incelendi Numuneler farklı konsantrasyonlarda ve farklı basınçlarda silindirik diskler (pellet) haline getirilerek iletkenlik ölçümleri yapılmıstır. Olusturulan pelletler fırın içine konularak 100º C ' de 1 saat süre pisirildi. Pisirme isleminden sonra her bir numune için direnç degerleri okunarak özdirenç ve buna baglı olarak iletkenlik hesabı yapıldı. Sonra bu pelletler direnç ölçüm düzenegi ile birlikte fırın içine yerlestirilerek oda sıcaklıgından 150º C ' ye kadar ısıtılarak tekrar oda sıcaklıgına inilerek tavlama islemi yapıldı. Tavlama islemi sırasında her 10 ºC 'de bir numunelerin direnç degerleri dijital multimetreden okundu. Okunan degerler göz önüne alınarak her bir numune için özdirenç ve buna baglı olarak iletkenlik hesaplar ı yapıldı . ln G - 1/T grafikleri olusturulmus ve olusturulan grafikler incelenerek karısımın nasıl bir özellik gösterdigi yorumlanmıs ve yasak enerji aralıgı hesaplanmıstır.